Q-POD Element終端精制器

詳細(xì)資料

Q-POD Element終端精制器詳細(xì)介紹

測(cè)量技術(shù)和檢測(cè)技術(shù)的新近發(fā)展極大地提高了現(xiàn)代分析儀器的靈敏度。使用諸如ICP-MS技術(shù)，可以在ppt或亞ppt水平檢測(cè)痕量元素。
這些低檢測(cè)限水平技術(shù)有多種新應(yīng)用，例如元素指紋識(shí)別，可用于法醫(yī)學(xué)、食品飲料工業(yè)和天體地質(zhì)學(xué)等眾多不同的領(lǐng)域。
低檢測(cè)限水平意味著須多加注意實(shí)驗(yàn)設(shè)備、操作人員、實(shí)驗(yàn)室環(huán)境以及所用的樣品容器，因?yàn)檫@些因素都可能影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
分析過(guò)程中使用的超純水也是一樣。由于樣品制備需要溶解和稀釋過(guò)程，因此使用這些靈敏技術(shù)分析的樣品中90%以上是高純度的純水。高純度的純水還用于清洗裝樣品的容器，清洗塑料器具，制備空白和標(biāo)準(zhǔn)溶液。
進(jìn)行痕量分析的實(shí)驗(yàn)室必須有可靠的超純水來(lái)源，且該超純水必須始終保持低的元素濃度。
專門設(shè)計(jì)的Q-POD Element ，與Milli-Q Integral或Milli-Q Advantage超純水純化系統(tǒng)聯(lián)合使用，可以達(dá)到此目的。Q-POD Element終端精制器的設(shè)計(jì)是由精通IC、ICP-MS以及GF-AAS等痕量分析方法的科學(xué)家開(kāi)發(fā)的。



Q-POD Element終端精制器技術(shù)參數(shù)：

電阻率 18.2MΩ-cm @ 25℃
元素水平 ppt或亞ppt級(jí)（參見(jiàn)元素列表）
顆粒 < 1/l（=""> 0.5 μm）
硅 < 1="" ppb="">
TOC < 5="">
細(xì)菌 < 0.01="" cfu="">